Crystal Growth NT (CG)15 ECTS
(englische Bezeichnung: Crystal Growth NT)

Lehrveranstaltungen:

• • Praktikum Materialen der Elektronik und Energietechnik (WS 2013/2014)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:15 - 12:15, 14:00 - 17:45, 3.71; Blockveranstaltung, 10.2.2014 8:15 - 14.2.2014 17:45, 3.71; das Praktikum besteht aus drei Versuchtagen; Vorbesprechung: 16.10.2013, 17:45 - 18:00 Uhr, H7)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2014)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 9.4.2014 bis zum 11.6.2014; keine Vorlesung am 28.05.2014)
  • Exkursionen (SS 2014)
    (Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
  • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2013/2014)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:30 - 16:00, 3.71)
• Wahlvorlesungen

  Bitte 5,5 ECTS wählen

  • Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2014 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 14:15 - 15:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2014 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 18.6.2014 bis zum 9.7.2014)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2013/2014 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:30 - 14:00, A 2.16)
  • Physikalische Grundlagen und Anwendungen der zerstörungsfreien Werkstoffprüfung (WS 2013/2014 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Stefan Kasperl, Mo, 15:45 - 17:15, 3.71)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaften, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwachstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung, Lithografie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipola-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) Mit Materialeigenschaften

• Grundlagen der Epitaxie
  

Kristallwachstum - Ausgewählte Kapitel

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Ausgewählte Kapitel

• Kristallwachstum für solare Anwendungen
  

Praktikum

• Czochralski Kristallwachstum von InSb

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Halbleitercharakterisierung
  

Lernziele und Kompetenzen:

• Die Studierenden erwerben fundierte Kenntnisse über Materialeigenschaften und deren Anwendung in elektronischen Bauelementen.

• Kennenlernen experimenteller Techniken in den Werkstoffwissenschaften, Verfassen von technischen Berichten, Teamarbeit
  

Literatur:

Wird in den Lehrveranstaltungen angegeben.

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth NT (Prüfungsnummer: 688067)

(englischer Titel: Crystal Growth NT)

Prüfungsleistung, mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet

Anteil an der Berechnung der Modulnote: 100.0 %

Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014

1. Prüfer:

Peter Wellmann