Mikroelektronik
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Grundlagen der Elektrotechnik I [ETechnik1]
VORL; 4 SWS; ECTS: 7,5; Anf; Mo, Mi, 8:30 - 10:00, H7; ab 17.10.2001
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Albach, M.
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Übungen zu Grundlagen der Elektrotechnik I [ETechnik1-Ü]
UE; 2 SWS; Schein; Anf; Do, 12:30 - 14:00, H8; Mi, Fr, 10:15 - 11:45, E 2.11; Mi, Fr, Di, 12:15 - 13:45, E 2.11; Mi, 10:15 - 11:45, E 1.11; Mi, 16:00 - 17:30, E 2.11; ab 18.10.2001
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Fenderl, M.
Mayer, H.
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PR; 5 SWS; Schein; ECTS: 5; Vorlesung Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente vorausgesetzt; Vorbesprechung: 22.10.2001, 15:00 - 16:00 Uhr, Hans-Georg-Waeber-Saal
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Häublein, V.
Jank, M.
Kühnhold, R.
Rommel, M.
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Technologie der Silicium-Halbleiterbauelemente [Si-Technologie]
VORL; 3 SWS; ben. Schein; ECTS: 5; (entspricht nach alter Prüfungsordnung Technologie der Siliciumhalbleiterbauelemente I); Mo, 12:30 - 14:45, Hans-Georg-Waeber-Saal
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Ryssel, H.
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PR; 3 SWS; Schein; ECTS: 5; Mi, 13:00 - 15:30, KR 01.025; ab 11.2.2002; zusätzlicher Blockkurs vom 11.-15. Febr. 2002; Anmeldung am LRS
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Bürner, Th.
Gentner, Th.
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VORL; 3 SWS; Kredit: 4/4; ECTS: 5; Di, 14:00 - 16:15, SR 01.030
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Glauert, W.H.
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UE; 1 SWS; Di, 16:30 - 17:15, SR 01.030
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Hofmann, R.
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VORL; 3 SWS; Kredit: 4/4; ECTS: 5; Di, 14:00 - 16:15, SR 01.030
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Glauert, W.H.
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UE; 1 SWS; Di, 16:30 - 17:15, SR 01.030
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Hofmann, R.
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