Crystal Growth MWT (M2 - M3)12.5 ECTS

Lehrveranstaltungen:

• • Grundlagen des Kristallwachstums und der Halbleitertechnologie (WS 2013/2014)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Di, 14:30 - 16:00, 3.71)
  • Praktikum Wahlfach Crystal Growth (WS 2013/2014)
    (Praktikum, 3 SWS, Peter Wellmann, Do, 8:00 - 18:00, 3.71; n.V.)
  • Elektronische Bauelemente und Materialfragen (Technologie II) (SS 2014)
    (Vorlesung, 2 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 9.4.2014 bis zum 11.6.2014; keine Vorlesung am 28.05.2014)
  • Exkursionen (SS 2014)
    (Exkursion, Peter Wellmann, bitte Aushänge beachten)
• Wahlvorlesungen

  Aus den optionalen Wahlveranstaltungen kann eine Vorlesung gewählt werden, die mit 3 ECTS in das Modul eingeht

  • Halbleiter großer Bandlücke (SS 2014 - optional)
    (Vorlesung, 1 SWS, Peter Wellmann, Mi, 8:30 - 11:00, 3.71; vom 18.6.2014 bis zum 9.7.2014)
  • Technologie der Züchtung von Halbleiterkristallen und Photovoltaik (SS 2014 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Jochen Friedrich, Mi, 14:15 - 15:45, Raum n.V.; Seminarraum 1, Fraunhofer IISB, Schottkystr.10, 91058 Erlangen)
  • Aufbau- und Verbindungstechnik in der Leistungselektronik (WS 2013/2014 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Uwe Scheuermann, Fr, 12:30 - 14:00, A 2.16)
  • Physikalische Grundlagen und Anwendungen der zerstörungsfreien Werkstoffprüfung (WS 2013/2014 - optional)
    (Vorlesung, 2 SWS, Stefan Kasperl, Mo, 15:45 - 17:15, 3.71)

Empfohlene Voraussetzungen:

Bachelor in Materialwissenschaft, Nanotechnologie, Energietechnik, Elektrotechnik, Physik, Chemie oder in einem vergleichbaren Studiengang.

Inhalt:

Grundlagen des Kristallwachstums und er Halbleitertechnologie

• Grundlagen des Kristallwchstums

• Grundlagen der Silizium Halbleitertechnologie (Oxidation, Dotierung mittels Diffusion und Ionenimplantation, Ätzen, Metallisierung Lithographie, Packaging)
  

Elektronische Bauelemente und Materialfragen

• Korrelation von Bauelementfunktion (Bipolar-Diode, Bipolar-Transistor, Schottky-Diode, Feldeffekt-Transistor, Leucht- und Laserdiode) mit Materialeigenschaften

• Grundlagen der Epitaxie
  

Praktikum:

• Czochralski Kristallwachstum vonInSb

• Modellierung in der Kristallzüchtung

• Halbleitercharakterisierung

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden

• erwerben fundierte Kenntninsse über Materialeigenschaften und deren Anwendungen in elektronischen Bauelementen

• lernen experimentelle Techniken in den Werkstoffwissenschaften kennen und können sie selbständig anwenden

• können Theorien, Terminologien und Lehrmeinungen des Faches, erläutern, anwenden und reflektieren

• können in Gruppen kooperativ und verantwortlich arbeiten

Literatur:

wird in den Lehrveranstaltungen angegeben

Studien-/Prüfungsleistungen:

Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 963688)

Studienleistung, benotet

Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014

1. Prüfer:

Peter Wellmann

Crystal Growth MWT 3 (Prüfungsnummer: 554832)

mündliche Prüfung, Dauer (in Minuten): 30, benotet

Erstablegung: WS 2013/2014, 1. Wdh.: SS 2014

1. Prüfer:

Peter Wellmann