Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten

Dozent/in:

Roland Nagy

Angaben:

Anleitung zu wiss. Arbeiten, 2 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Zeit/Ort n.V.

Anleitung zum wissenschaftlichen Arbeiten

Dozent/in:

Jörg Schulze

Angaben:

Seminar, nur Fachstudium

Termine:

Zeit und Ort nach Vereinbarung

Ausgewählte Kapitel der Quantenelektronik

Dozentinnen/Dozenten:

Jörg Schulze, u.a.

Angaben:

Seminar, 2 SWS, ECTS: 2,5, für FAU Scientia Gaststudierende zugelassen

Termine:

Di, 14:15 - 15:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WF ME-BA ab 5
WF ME-MA ab 1

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Experimentalphysik I und II empfohlen, Kenntnisse aus Quantenelektronik III – Tunnel- und „Quantum Well"-Bauelemente und/oder Quantenelektronik IV - Spintronik und „Quantum Computation" von Vorteil

Inhalt:

Inhalt des Seminars ist die selbstständige Erarbeitung und schlüssige Darstellung eines Themas aus dem Gebiet der Quantenelektronik. Als Grundlage dienen dabei Literaturvorgaben der Betreuer, die durch eigene Recherchen ergänzt werden sollen. Die Teilnehmer referieren im Rahmen eines 30-minütigen Vortrags über ihre Ergebnisse. Die Einzelthemen werden in jedem Semester neu gewählt. (erwartete Hörerzahl original: 8, fixe Veranstaltung: nein)

Forschungspraktikum am LEB

Dozent/in:

Tobias Dirnecker

Angaben:

Sonstige Lehrveranstaltung, Schein, ECTS: 10, Nur für EEI Master;

Termine:

Nach Vereinbarung; Nur für EEI Master; Weitere Informationen über StudOn unter: <Link wird noch eingefügt>

Halbleiterbauelemente [HBE V(A)]

Dozentinnen/Dozenten:

Jörg Schulze, Jan Dick

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, ECTS: 5, !Bitte beachten!: In beiden ersten Vorlesungswochen finden zusätzliche Vorlesungstermine zum regulären Termin der Übung (Mo., 18.10. & 25.10.) statt. lbleiterbauelemente statt! Die Übungseinheiten werden am Ende des Semesters nachgeholt.

Termine:

Di, 14:15 - 15:45, H5

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA-BV ab 5
PF ME-BA 5

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Zur Vorlesung wird eine Übung (2 SWS) sowie ein Tutorium angeboten. Informationen zu diesen Veranstaltungen finden Sie im Informationssystem UnivIS.

Inhalt:

Die Vorlesung Halbleiterbauelemente vermittelt den Studenten der Elektrotechnik die physikalischen Grundlagen moderner Halbleiterbauelemente. Der erste Teil der Vorlesung befasst sich nach einer Einleitung mit Bewegungsgleichungen von Ladungsträgern im Vakuum sowie der Ladungsträgeremission im Vakuum und daraus abgeleiteten Bauelementen. In der anschließenden Behandlung von Ladungsträgern im Halbleiter werden die wesentlichen Aspekte der Festkörperphysik zusammengefasst, die zum Verständnis moderner Halbleiterbauelemente nötig sind. Darauf aufbauend werden im Hauptteil der Vorlesung die wichtigsten Halbleiterbauelemente, d.h. Dioden, Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren detailliert dargestellt. Einführungen in die wesentlichen Grundlagen von Leistungsbauelementen und optoelektronischen Bauelementen runden die Vorlesung ab. (automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 82, fixe Veranstaltung: nein)

Empfohlene Literatur:

• Vorlesungsskript, am LEB erhältlich

• Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 2nd ed., McGraw-Hill (Richard D. Irwin, Inc., Burr Ridge), USA, 1997

• Müller, R.: Grundlagen der Halbleiter-Elektronik: Band 1 der Reihe Halbleiter-Elektronik, 7. Auflage, Springer Verlag, Berlin, 1995

Schlagwörter:

Bauelemente, Halbleiter

Tutorium Halbleiterbauelemente

Dozent/in:

Jan Dick

Angaben:

Tutorium, 2 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Mi, 12:15 - 13:45, H5
Erster Termin: wird noch bekanntgegeben

Studienrichtungen / Studienfächer:

PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
WPF MT-BA-BV 5-6
PF ME-BA 5

Inhalt:

Im Tutorium Halbleiterbauelemente bearbeiten die Teilnehmer in Kleingruppen ehemalige Klausuraufgaben. Die Betreuer stehen ihnen dabei zur Diskussion und Hilfestellung zur Verfügung. (automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 78, fixe Veranstaltung: nein)

Übungen zu Halbleiterbauelemente [HBE Ü(A)]

Dozentinnen/Dozenten:

Jan Dick, Jörg Schulze

Angaben:

Übung, 2 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Fr, 14:15 - 15:45, H5

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF MT-MA-MEL ab 1
PF EEI-BA 3
PF BPT-BA-E 3
PF BPT-MA-M-E ab 1
WPF MT-BA ab 5
PF ME-BA 5

Halbleitertechnik II – CMOS-Technik [HL II - CMOS V(AR)]

Dozent/in:

Jörg Schulze

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, ECTS: 5, nur Fachstudium

Termine:

Mo, 08:15 - 09:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF EEI-BA-MIK ab 5
PF EEI-MA-MIK ab 1
WF EEI-MA 1
WPF ME-MA-MG4 1-3

Übung zu Halbleitertechnik II - CMOS-Technik [HL II - CMOS Ü(AR)]

Dozent/in:

Jörg Schulze

Angaben:

Übung, 2 SWS, ECTS: 2,5

Termine:

Mi, 12:15 - 13:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WF EEI-MA ab 1
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3

Halbleitertechnik III – Leistungshalbleiterbauelemente [HL III - LBE V(AR)]

Dozentinnen/Dozenten:

Tobias Erlbacher, Julian Schwarz

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, benoteter Schein, ECTS: 5

Termine:

Di, 12:15 - 13:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF WING-MA-ET-EN 1-3
WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
PF EEI-MA-LE 1-4
WPF EEI-MA-EuA 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3

Empfohlene Literatur:

• Fundamentals of Power Semiconductor Devices, B. J. Baliga, Springer, New York, 2008 ISBN: 978-0-387-47313-0

• Halbleiter-Leistungsbauelemente, Josef Lutz, Springer, Berlin, 2006 ISBN: 978-3-540-34206-9

• Leistungselektronische Bauelemente für elektrische Antriebe, Dierk Schröder, Berlin, Springer, 2006 ISBN: 978-3-540-28728-5

• Physics and Technology of Semiconductor Devices, A. S. Grove, Wiley, 1967, ISBN: 978-0-471-32998-5

• Power Microelectronics - Device and Process Technologies, Y.C. Liang und G.S. Samudra, World Scientific, Singapore, 2009 ISBN: 981-279-100-0

• Power Semiconductors, S. Linder, EFPL Press, 2006, ISBN: 978-0-824-72569-3

• V. Benda, J. Gowar, D. A. Grant, Power Semiconductor Devices, Wiley, 1999

Schlagwörter:

Leistungsbauelemente Halbleiter

Übung zu Halbleitertechnik III - Leistungshalbleiterbauelemente [HL III - LBE Ü(AR)]

Dozentinnen/Dozenten:

Julian Schwarz, Tobias Erlbacher

Angaben:

Übung, 2 SWS, Anmeldung über StudOn: https://www.studon.fau.de/crs3991848.html

Termine:

Mi, 14:15 - 15:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-BA-MG3 3-6
PF EEI-BA-LE 5-6
WPF EEI-BA-EuA 5-6
WPF EEI-MA-EuA 1-4
PF EEI-MA-LE 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF ME-MA-MG3 1-3
WPF BPT-MA-E 1-3
WPF WING-MA-ET-EN 1-3

Halbleitertechnik VI – Flexible Elektronik

Dozent/in:

Michael Jank

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium

Termine:

Mi, 14:15 - 15:45, 0.111
Details zu Inhalten und Durchführung der Vorlesung werden in der Vorbesprechung/Einführung am 20. Oktober besprochen. Bitte wenden Sie sich vorab per E-Mail an den Dozenten (michael.jank@fau.de), falls Sie an dem Termin nicht teilnehmen können.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1

Inhalt:

1.Einführung -Vergleich Elektroniktechnologien, Anwendungen für großflächige und flexible Elektronik

• Integrationstechniken

2. Bauelementekonzepte der Dünnschichtelektronik

• Dünnschichttransistoren / TFTs

• Passive Bauelemente

• Ausgewählte Sensoren

3. Materialien und Prozessierung

• Beschichtungs- und Drucktechniken

• Dünnschichttechnologien (a-Silicium, Polysilicium, Metalloxide, Organik)

• Substrat-, Prozess- und Bauelementeoptionen für flexible Anwendungen

4. Mechanische und elektronische Integration

• Verbindungstechniken

• Drahtlose Schnittstellen

5. Anwendungen

• Großflächige Sensoren, Sensormatrizen und Ausleseelektronik

• Typen, Aufbau und Ansteuerung von Displays
  

(erwartete Hörerzahl original: 20, fixe Veranstaltung: nein)

Schlagwörter:

flexibel flexible Elektronik großflächig large area Displays Sensorik Integration Verbindungstechnik

Halbleitertechnologie I - Technologie integrierter Schaltungen [HLT I - TiS V(AR)]

Dozentinnen/Dozenten:

Jörg Schulze, Jannik Schwarberg

Angaben:

Vorlesung, 3 SWS, ECTS: 5, nur Fachstudium

Termine:

Mo, 10:15 - 12:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF BPT-MA-E 1-3
PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
PF INF-NF-EEI 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1

Inhalt:

Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen. Der erste Teil der Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus Prozessabläufen, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder Speicher verwendet werden, dargestellt und anhand von Bauelementen (Kondensator, Diode und Transistor) wichtige Prozessparameter und Bauelementeeigenschaften erläutert. (automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 17, fixe Veranstaltung: nein)

Übung zu Halbleitertechnologie I - Technologie integrierter Schaltungen [HLT I - TiS Ü(AR)]

Dozentinnen/Dozenten:

Jannik Schwarberg, Jörg Schulze

Angaben:

Übung, 1 SWS, nur Fachstudium

Termine:

Mo, 13:00 - 13:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

PF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-BA-MIK 5-6
PF EEI-MA-MIK 1-4
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1
PF INF-NF-EEI ab 5
WPF ME-BA-MG4 3-6
WPF ME-MA-MG4 1-3
WF NT-MA ab 1
WPF BPT-MA-E 1-3

Halbleitertechnologie III - Zuverlässigkeit und Fehleranalyse integrierter Schaltungen [HLT III - ZUFIS(A)]

Dozent/in:

Peter Pichler

Angaben:

Vorlesung mit Übung, 2 SWS, benoteter Schein, ECTS: 4

Termine:

Mo, 14:15 - 15:45, BR 1.161

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF BPT-MA-E 1-3
WF EEI-BA ab 5
WF EEI-MA ab 1

Inhalt:

Wirtschaftlicher Erfolg beim Einsatz elektronischer Bauelemente hängt unter anderem von deren Lebensdauer ab. Zu geringe Lebensdaueren führen zu überproportionalen Garantieleistungen und Ansehensverlusten der Marke, zu hohe Lebensdauern deuten auf zu hohe Produktionskosten oder zu hohe Sicherheitsreserven hin. Neben einer Einführung in die mathematische Beschreibung von Zuverlässigeitsbetrachtungen bietet die Vorlesung eine Diskussion der relevanten Ausfallmechanismen von elektronischen Bauelementen und eine Übersicht über die Fehleranalyse an ausgefallenen Bauelementen. (automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 10, fixe Veranstaltung: nein)

Schlagwörter:

Zuverlässigkeit, Fehleranalyse, Integrierte Schaltungen, Ausfallmechanismen, Messverfahren zur Qualitätssicherung

Praktikum Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

Dozentinnen/Dozenten:

Tobias Dirnecker, u.a.

Angaben:

Praktikum, 3 SWS, Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium, Voraussetzung: Vorlesungen Technologie integrierter Schaltungen und/oder Halbleiter- und Bauelementemesstechnik

Termine:

Das Praktikum wird voraussichtlich als Blockpraktikum in der vorlesungsfreien Zeit stattfinden. Ein Termin zur Vorbesprechung wird zu Beginn des Semesters bekannt gegeben.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-BA-MIK 5-6
WPF EEI-MA-MIK 1-4
WPF ME-MA-P-EEI 1-4

Inhalt:

Im Praktikum zur Halbleiter- und Bauelementemesstechnik wird ein Teil der in der gleichnamigen Vorlesung besprochenen Messverfahren praktisch durchgeführt. Zu Beginn des Praktikums wird die Relevanz der Messtechnik zur Prozesskontrolle aber auch in der Bauelementeentwicklung anhand eines typischen CMOS-Prozesses erläutert. Im Bereich Halbleitermesstechnik werden dann Versuche zur Scheibeneingangskontrolle, zu optischen Schichtdicken- und Strukturbreitenmessverfahren, sowie zur Profilmesstechnik durchgeführt. Im Bereich Bauelementemesstechnik werden MOS-Kondensatoren und MOS-Transistoren, Dioden, Widerstände und spezielle Teststrukturen elektrisch charakterisiert. (erwartete Hörerzahl original: 10, fixe Veranstaltung: nein)

Empfohlene Literatur:

• Frey, L., Halbleiter- und Bauelementemesstechnik, Skript zur gleichnamigen Vorlesung (am Lehrstuhl erhältlich).

Praktikum Mikroelektronik [PrakMikro]

Dozentinnen/Dozenten:

Julian Schwarz, Tobias Dirnecker

Angaben:

Praktikum, 3 SWS, Schein, ECTS: 2,5, nur Fachstudium, Nur EEI-BA Mikroelektronik; Der Vorbesprechungstermin ist eine Pflichtveranstaltung und muss wahrgenommen werden.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-BA-MIK 5-6

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Nur für Studenten im Bachelorstudium EEI mit Studienrichtung Mikroelektronik belegbar.

Inhalt:

Ziel ist es, praktische Erfahrungen in den Bereichen Herstellungsverfahren und elektrische Charakterisierung, Simulation und Entwurf sowie der Anwendung von mikroelektronischen Bauelementen, Schaltungen und Systemen zu erlangen.

Es muss eine Auswahl von 7 Versuchen getroffen werden. Hinweis: es muss von jedem der vier beteiligten Lehrstühle mindestens ein Versuch ausgewählt werden.
Die folgenden Versuche werden i.d.R. angeboten:

LEB 1 - Charakterisierung von MOSFETs
LEB 2 - Charakterisierung von pn-Dioden
LEB 3 - Charakterisierung von MOS-Kondensatoren
LEB 4 - Haynes-Shockley-Experiment
LTE 1 - Analog circuit design (schematic)
LTE 2 - Analog circuit design (layout)
LTE 3 - Simulation von HF-Strukturen on-Chip mit Sonnet
LTE 4 - Diskreter Delta-Sigma ADU
LZS 1 - Entwurf und Simulation eines FlipFlops (Pflichtversuch LZS)
LZS 2 - Full-Custom-Layout einer Flipflop-Standardzelle
LIKE 1 - Digital-Entwurf mit VHDL (Pflichtversuch LIKE)
LIKE 2 - Simulation mit VHDL und Testfreundlicher Digital-Entwurf

Quantenelektronik II - Quantentechnologien 2 [QE II - QTech2-V(AR)]

Dozent/in:

Roland Nagy

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS

Termine:

Fr, 12:15 - 13:45, 0.111

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Quantentechnologien 1 muss durch eine Prüfung erfolgreich abgeschlossen sein

Inhalt:

Die Vorlesung Quantentechnologien 2 vermittelt den Studierenden der Elektrotechnik die Anwendungen von Quantentechnologien. Die Quantentechnologie ist eine neue Forschungsrichtung, die das Potential besitzt, aktuelle Technologien zu revolutionieren. Den Studierenden wird in dieser Vorlesung die Funktionsweise von Quantensensoren, Quantennetzwerken und Quantencomputer vermittelt. (automatisch geplant, erwartete Hörerzahl original: 40, fixe Veranstaltung: nein)

Empfohlene Literatur:

Matthias Homeister, Hans Christoph (2018): Quantum Computing verstehen
Stephen M. Barnett (2009): Quantum Information

Übungen zu Quantenelektronik II - Quantentechnologien 2 [QE II - QTech2-Ü(AR)]

Dozentinnen/Dozenten:

Roland Nagy, Andre Pointner

Angaben:

Übung, 2 SWS

Termine:

Di, 10:15 - 11:45, 0.111

Quantenelektronik III – Tunnel- und „Quantum Well"-Bauelemente [QE III - T&QW V(AR)]

Dozent/in:

Jörg Schulze

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, ECTS: 5, nur Fachstudium

Termine:

Mi, 16:15 - 17:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WF EEI-MA ab 1
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF ME-BA-MG4 ab 5
WPF ME-MA-MG4 ab 1

Übung zu Quantenelektronik III - Tunnel- und „Quantum Well"-Bauelemente [QE III - T&QW Ü(AR)]

Dozent/in:

Jörg Schulze

Angaben:

Übung, 2 SWS, ECTS: 2,5

Termine:

Di, 08:15 - 09:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF ME-BA-MG4 ab 5
WF EEI-MA ab 1
WPF EEI-BA-MIK ab 5
WPF EEI-MA-MIK ab 1
WPF ME-MA-MG4 ab 1

Quantenelektronik Z - Ausgewählte Kapitel der höheren Physik

Dozent/in:

Jörg Schulze

Angaben:

Vorlesung, 2 SWS, ECTS: 2,5, für FAU Scientia Gaststudierende zugelassen

Termine:

Zeit/Ort n.V.

Studienrichtungen / Studienfächer:

WF EEI-MA ab 1
WF EEI-BA ab 5

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Experimentalphysik I und II empfohlen

Inhalt:

• Determinismus vs. Zufall I - Was ist „klassische Physik"?

• Die duale Natur des Lichts - Der Streit der Schulen

• Determinismus vs. Zufall II - Der radioaktive Zerfall

• Die Teilchennatur des Elektrons – Röhrentechnologie

• Die duale Natur des Elektrons I – Atomphysik

• Licht-Materie-Wechselwirkung

• Die duale Natur des Elektrons II - „Materiewellen" und Schrödingergleichung
  

(erwartete Hörerzahl original: 0, fixe Veranstaltung: nein)

Empfohlene Literatur:

Heisenberg

• Physik und Philosophie, S. Hirzel Verlag Stuttgart
  

• Der Teil und das Ganze: Gespräche im Umkreis der Atomphysik, Piper
  

• Quantentheorie und Philosophie: Vorlesungen und Aufsätze, Reclam

Kittel

• Einführung in die Festkörperphysik, Oldenbourg

Levi

• Applied Quantum Mechanics, Cambridge University Press

Miller

• Quantum Mechanics for Scientists and Engineers, Cambridge University Press

Razeghi

• Fundamentals of Solid State Engineering, Kluwer Academic Publishers

Schwabl

• Quantenmechanik, Springer

Sze

• Physics of Semiconductor Devices, John Wiley

Übungen zu Quantenelektronik Z - Ausgewählte Kapitel der höheren Physik

Dozent/in:

Jörg Schulze

Angaben:

Übung, 2 SWS, ECTS: 2,5, für FAU Scientia Gaststudierende zugelassen

Termine:

Zeit/Ort n.V.

Reinraum- und Halbleiterpraktikum [RRPrak]

Dozentinnen/Dozenten:

Julius Marhenke, Tobias Dirnecker

Angaben:

Praktikum, 5 SWS, ECTS: 5, nur Fachstudium, Teilnahme an der Vorbesprechung (Uhrzeit wird noch bekannt gegeben) ist verpflichtend! Anmeldung bei StudOn notwendig. Praktikumszeiten donnerstags werden nach Gruppeneinteilung bekanntgegeben.

Studienrichtungen / Studienfächer:

PF NT-BA 5

Seminar Forschungsthemen der Quantentechnologien

Dozent/in:

Roland Nagy

Angaben:

Seminar, 2 SWS, ECTS: 2,5

Termine:

Mo, 8:15 - 9:45, 0.111

Studienrichtungen / Studienfächer:

WPF EEI-BA ab 5
WPF EEI-MA ab 1

Voraussetzungen / Organisatorisches:

Empfohlen: Vorlesung Einführung in die Quantentechnologien 1

Inhalt:

Im Seminar „Quantentechnologien 2" sollen Studierende selbstständig aktuelle Erkenntnisse durch Publikationen analysieren. Diese Erkenntnisse sollen in Form eines wissenschaftlichen Vortrags und anschließender Diskussion vertieft werden. (erwartete Hörerzahl original: 10, fixe Veranstaltung: nein)

Empfohlene Literatur:

Haken, Herrmann & Wolf, Hans Christoph (2004): Atom- und Quantenphysik
Nolting, Christoph (2009): Grundkurs Theoretische Physik 5/1: Quantenmechanik – Grundlagen

Seminar über Bachelorarbeiten [Sem BA(RZ)]

Dozentinnen/Dozenten:

Michael Niebauer, Tobias Dirnecker

Angaben:

Seminar, 2 SWS, ECTS: 2,5

Termine:

Fr, 10:15 - 11:45, 0.111

Seminar über Masterarbeiten (Sem MA)

Dozent/in:

Tobias Dirnecker

Angaben:

Seminar, 2 SWS

Termine:

Fr, 14:15 - 15:45, 0.111
(Termine werden bekannt gegeben und sind auf der Homepage des Lehrstuhls zu finden